气体传感器1953年,发现半导体元素锗的电阻率随环境中气体浓度的变化而变化,该现象的发现开始了半导体气体传感器的研究和应用hljs-center金属氧化物半导体气体传感器MOS是一种广泛应用于气体检测的传感器,其结构简单制造成本低测试电路简单灵敏度测试范围等性能表现良好,这些因素是其广泛应用的原因半导体气体传感器和其他传感器一起构成了人们获取气体信息和各种信息的重要手段,丰富了生产应用和科研信息的获取和检测手段旁热半导体传感器的核心是敏感材料,其性能取决于敏感材料为改善半导体传感器的性能,对敏感材料的研究一直是研究的重点,在敏感材料的研究中,制备不同形状的纳米级敏感材料,掺杂不同种类和数量的贵