传感器智能化结构
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MEMS压力传感器技术原理的概述
现有MEMS压力传感器主要分为硅压阻式和硅电容式两种，它们均由硅片上产生的微型电子传感器组成硅压阻压力传感器是采用高精密半导体电阻应变片构成的惠斯顿电桥作为力电变换测量电路，其测量精度高功耗低成本低在没有压力变化的情况下，惠斯顿电桥的压阻传感器输出为零，几乎不消耗电能采用周边固定的圆形应力杯硅膜内壁，实现了MEMS硅压阻压力传感器利用MEMS技术，四个高精度的半导体应变片刻在其表面应力最大的位置，构成惠斯顿测量电桥它是一种力电变换的测量电路，它把这一物理量直接转换为电量，其测量精度可达到001003FS硅压阻式压力传感器结构，上下二层为玻璃体，中间为硅片，硅片中部为一应力杯，在硅片的上部有一真
MEMS压力传感器关键技术解析
MEMS压阻式压力传感器是由四个高精度分布在敏感结构上扩散的电阻构成惠斯顿电桥输出差压信号，实现对力值的灵敏输出在应用MEMS压阻式压力传感器实用化过程中，硅基材料对温度敏感性较高，受力敏电阻和漏电效应的影响，会出现零位漂移现象，从而导致灵敏度下降对温度的影响可以通过硬件补偿和算法补偿两种方法进行在没有外部压力下，通过增加热敏电阻调平电阻等方法，使惠更斯电桥输出为零，从而有效地抑制或消除零点漂移针对这种情况，算法补偿主要是根据已有的硬件条件，在传感器实验的基础上，对输出进行二次校正，以抑制或消除温度变化引起的零漂目前常用的线性补偿算法有最小二乘法拟合直线补偿法曲线拟合补偿法和神经网络补偿法噪音
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