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压阻压力传感器主要基于压阻效应。压阻效应用于描述材料受机械应力作用时产生的电阻变化。与上面提到的压电效应不同，压阻效应仅产生阻抗变化，不产生电荷。
发现大部分金属和半导体材料都有压阻效应。在这种情况下，半导体的压阻作用要大于金属。硅片是当今集成电路中的主流，因此，用硅片制造压阻元件显得尤为重要。阻抗变化不单单是由几何变形引起的，它还来自于材料本身与应力有关的电阻，这个电阻使它比金属大几百倍。N型硅的阻值变化主要是由其三个导带谷对的位移引起的导带带之间的载子重新分配，从而改变了导带之间的电子迁移率。第二个原因是当量质量(effective mass)，其产生于导带谷形变化。P型硅片中，这一现象更加复杂，并引起了等效质量的变化和电洞转化。
压阻式压力传感器通常是通过引线连接到惠斯登电桥。在正常情况下，敏芯不会有外压作用，电桥处于平衡状态(称为零位)，当传感器受压时芯片电阻发生改变，电桥就会失去平衡。如果在电桥上加入恒定电流或电压电源，电桥就会输出相应于压力的电压信号，使传感器的电阻变化由电桥转化为压力信号。由电桥探测到电阻值的变化，再经放大后的电压电流转换，转化为相应的电流信号，由一个非线性校正回路进行补偿，即得到一个4~20mA标准输出信号。
为了减少温度变化对核心电阻值的影响，提高测量精度，压力传感器均采用了温度补偿措施，使其零漂移，并且保持了较高的灵敏度、线性、稳定性等技术指标。
