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压阻压力传感器也叫扩散硅压力传感器，它是一种利用单晶硅材料的压阻效应，结合集成电路技术制造的一种传感器。单晶体硅材料受力后，其电阻率会发生变化，通过测量电路可以获得正比于力变化的电信号输出。压阻感应器可用于测量和控制压力、拉力、差压和其它可转换成力变化的物理量(如液位、加速、重量、应变、真空)。
在硅晶体中使用力作时，晶体的晶格产生形变，使载流子从一片到另一片散射，导致迁移率改变，载流子的平均纵向和横向电阻率都会受到干扰，从而导致硅片电阻率的改变。结果表明，在不同的晶体中，其压阻效应与晶体的取向有关。硅压阻效应与金属应变计不同，前者电阻随压力的变化主要依赖于电阻率的变化，后者则主要受几何尺寸的变化影响，且前者的灵敏度较后者大50~100倍。
该传感器采用集成工艺，将电阻条集成到单晶硅膜片上，制成硅压阻芯片，并将该芯片的周边固定封装在壳体内，引出电极引线。压阻式压力传感器又称固态压力传感器，与需要通过弹性敏感元件间接感受外力不同，它是通过硅膜片直接感受到被测压力。
硅膜的一面是与测量压力连通的高压腔体，另一面为低压腔，与大气相通。硅膜通常是设计在周围固支处形成圆形，直径和厚度比大约为20~60。将4个P杂质电阻条在圆形硅膜上的定域扩散到全桥上，其中两个在压应力区，另外两个在拉应力区，对膜中心对称。
利用半导体材料的压阻效应，在半导体材料的衬底上通过扩散电阻，形成压阻式传感器。它的衬底可以直接用作测量敏感元件，在衬底上连接一个电桥电阻。变形过程中，基板受外力作用，使基片的各个电阻值发生变化，电桥产生相应的不平衡输出。作为压阻式传感器的衬底(或称隔膜)材料主要由硅片和锗组成，用硅片作为感光材料制作的硅压阻传感器，在压力和速度测量方面得到了广泛的应用。
